HY1906P TO-220
Barcode: 040119
1 de la 1
RRP
lei
lei
13.54
lei
Discount period
până la
În stoc
Livrare si Plata
Grăbește-te, au mai rămas doar 50 disponibile!
Adaugă la favorite
Produsele tale preferate Plata securizata prin:
Livrare oriunde în lume:
Descriere
MOS-N-FET Vdss=60V Id=120A Rds(on)=7.5mR 188W\n; \nMaximum Power Dissipation (Pd): 188 W\nMaximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V\nMaximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V\nMaximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V\nMaximum Drain Current |Id|: 120 A\nMaximum Junction Temperature (Tj): 175 °C\nMaximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0075 Ohm
